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SAMSUNG电子宣布将从2025年开始量产2nm芯片

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10月9日消息,据国外国媒体体报道,在近日举办的晶圆代工论坛上,SAMSUNG电子宣布,将从2025年开始量产2nm芯片。

SAMSUNG

这一声明表明,SAMSUNG电子将继续开发尖端制造技术,与其竞争对手英特尔和台积电展开竞争。

报道称,SAMSUNG电子的2nm制程量产计划比台积电和英特尔晚了1年左右。但是,台积电和英特尔计划在2nm制程中首次引入GAA,因此SAMSUNG电子在技术稳定性和良品率方面具有优势。

今年6月底,SAMSUNG宣布,其3nm制程技术已经正式流片。据悉,该企业的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。但是,SAMSUNG当时并没有透露3nm GAA工艺何时量产。

在近日举办的晶圆代工论坛上,SAMSUNG表示,计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片,第二代3nm芯片预计将在2023年生产。

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